製品
NEMST-Jet2008I series
ウェハ裏面ポリマー除去用プラズマ装置
- アークジェット（Arc Jet）プラズマ設計
- 前工程装置モジュールシステム（EFEM）と統合
- 真空吸着式回転ステージによるウェハ固定
- エネルギー集中性に優れ、高い処理効果を実現
- 高速処理が可能
- 処理ギャップ（ウェハとの距離）が大きい
- 間接式プラズマ設計
- 反応ガスはN2を主とし、その他のガスにも対応可能。
- 反応ガスの消費量が少なく、ランニングコストの低減を実現。
- 高スループット：毎時43枚のウエハ処理能力（43 WPH）。
- プラズマの安定性が極めて高い設計。
- 間接プラズマ方式を採用。静電破壊（ESD）の残留問題がありません。
- 高いクリーン度を維持し、クラス10〜100のクリーンルームに対応。
- ウェハ裏面ポリマー除去： 半導体後工程における晶背（裏面）ポリマーの高効率なプラズマ除去ソリューション。
- 高歩留まりプロセス： ウエハ裏面の残渣（レジスト・ポリマー）を完全に排除し、パッケージング工程の歩留まりを最適化。